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文献
J-GLOBAL ID：201602201596840453
整理番号：16A0380181
PEALDリン添加ケイ酸塩ガラスによる拡張ドーピングを用いるNMOS Siバルク-FinFETのための斬新な接合の設計
Novel Junction Design for NMOS Si Bulk-FinFETs with Extension Doping by PEALD Phosphorus Doped Silicate Glass
SASAKI Y.
(imec)
,
RITZENTHALER R.
(imec)
,
KIMURA Y.
(ASM, Tokyo, JPN)
,
DE ROEST D.
(ASM, Leuven, BEL)
,
SHI X.
(imec)
,
DE KEERSGIETER A.
(imec)
,
KIM M. S.
(imec)
,
CHEW S. A.
(imec)
,
KUBICEK S.
(imec)
,
SCHRAM T.
(imec)
,
KIKUCHI Y.
(imec)
,
DEMUYNCK S.
(imec)
,
VELOSO A.
(imec)
,
VANDERVORST W.
(imec)
,
HORIGUCHI N.
(imec)
,
MOCUTA D.
(imec)
,
MOCUTA A.
(imec)
,
THEAN A. V-Y.
(imec)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015 ページ： 596-599 発行年： 2015年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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