文献
J-GLOBAL ID:201602201927237043
整理番号:16A0005383
非晶質InGaZnO薄膜トランジスタのゲートパルス誘起劣化の研究
An Investigation of Gate Pulse Induced Degradation in a-InGaZnO Thin Film Transistors
著者 (4件):
KIM Byeong-Jun
(Korea Aerospace Univ., KOR)
,
SEO Jong-Hyun
(Korea Aerospace Univ., KOR)
,
CHOE Heehwan
(Korea Aerospace Univ., KOR)
,
JEON Jae-Hong
(Korea Aerospace Univ., KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
15
号:
10
ページ:
7559-7563
発行年:
2015年10月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)