文献
J-GLOBAL ID:201602201970844220
整理番号:15A1302055
AlGaN/GaNH EMTの表面状態と関係する遅れ特性に及ぼすフィールドプレートの影響【Powered by NICT】
Influence of field plate on surface-state-related lag characteristics of AlGaN/GaN HEMT
著者 (2件):
Lei Yong
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing)
,
Lu Hai
(School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
36
号:
7
ページ:
074007-01-074007-04
発行年:
2015年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)