文献
J-GLOBAL ID:201602202026553031
整理番号:15A1302338
2次元ひ素層状半導体いとこ黒りんの間接-直接バンドギャップ遷移【Powered by NICT】
Indirect-direct band gap transition of two-dimensional arsenic layered semiconductors-cousins of black phosphorus
著者 (3件):
Luo Kun
(East China Normal Univ. Key Lab. of Polar Materials and Devices (MOE), Shanghai)
,
Chen Shiyou
(East China Normal Univ. Key Lab. of Polar Materials and Devices (MOE), Shanghai)
,
Duan Chungang
(East China Normal Univ. Key Lab. of Polar Materials and Devices (MOE), Shanghai)
資料名:
Science China. Physics, Mechanics & Astronomy
(Science China. Physics, Mechanics & Astronomy)
巻:
58
号:
8
ページ:
087301-1-087301-7
発行年:
2015年
JST資料番号:
C2587A
ISSN:
1674-7348
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)