文献
J-GLOBAL ID:201602203353595046
整理番号:16A0188602
高速応用のための無接合ダブルゲートMOSFETの解析とシミュレーション
Analysis and Simulation of a Junctionless Double Gate MOSFET for High-speed Applications
著者 (1件):
HOSSEINI Reza
(Khoy Branch, Islamic Azad Univ., Khoy, IRN)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
67
号:
9
ページ:
1615-1618
発行年:
2015年11月13日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)