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文献
J-GLOBAL ID:201602204347858855   整理番号:13A1480184

Effects of ion bombardment on microcrystalline silicon growth by inductively coupled plasma assistant magnetron sputtering

著者 (5件):
He Yangyang
(School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian)
Su Yuanjun
(Dalian Univ. of Technol. Key Lab. of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education ...)
Zhu Ming
(Dalian Univ. of Technol. Key Lab. of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education ...)
Cao Baosheng
(School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian)
Dong Bin
(School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian)

資料名:
Science China. Physics, Mechanics & Astronomy  (Science China. Physics, Mechanics & Astronomy)

巻: 55  号: 11  ページ: 2070-2075  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2587A  ISSN: 1674-7348  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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