文献
J-GLOBAL ID:201602205351078829
整理番号:16A0181291
ポリイミド基板上に作製したフレキシブルIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ及び負のバイアス照明応力下で機械的に誘起した不安定性
Flexible In-Ga-Zn-O thin-film transistors fabricated on polyimide substrates and mechanically induced instability under negative bias illumination stress
著者 (5件):
PARK Jozeph
(KAIST, Daejeon, KOR)
,
KIM Chang-Sun
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
AHN Byung Du
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
RYU Hojun
(Electronic and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
KIM Hyun-Suk
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
資料名:
Journal of Electroceramics
(Journal of Electroceramics)
巻:
35
号:
1/4
ページ:
106-110
発行年:
2015年12月
JST資料番号:
W1123A
ISSN:
1385-3449
CODEN:
JOELFJ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)