文献
J-GLOBAL ID:201602205560388185
整理番号:16A0188772
高kゲート誘電体材料を用いたアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物薄膜トランジスタに関する境界面の研究
Interface Study on Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using High-k Gate Dielectric Materials
著者 (2件):
LIN Yu-Hsien
(National United Univ., Miaoli, TWN)
,
CHOU Jay-Chi
(National United Univ., Miaoli, TWN)
資料名:
Journal of Nanomaterials (Web)
(Journal of Nanomaterials (Web))
巻:
2015
ページ:
782786 (WEB ONLY)
発行年:
2015年
JST資料番号:
U7011A
ISSN:
1687-4110
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)