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文献
J-GLOBAL ID：201602206213841208
整理番号：16A0380130
3D Geチャネルのラインエッジ粗さ低減と表面平坦化のための新しいウエハスケール均一レーヤバイレーヤエッチング技術
Novel Wafer-Scale Uniform Layer-by-Layer Etching Technology for Line Edge Roughness Reduction and Surface Flattening of 3D Ge Channels
MORITA Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
OTA H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIZUBAYASHI W.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
O’UCHI S.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA M.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ENDO K.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015 ページ： 390-393 発行年： 2015年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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