文献
J-GLOBAL ID:201602207718186880
整理番号:16A0051644
新しいナノスケール部分空乏型SOI MOSFETにおける信頼性が強化された証拠
Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET
著者 (2件):
ANVARIFARD Mohammad Kazem
(Semnan Univ., Semnan, IRN)
,
OROUJI Ali Asghar
(Semnan Univ., Semnan, IRN)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
15
号:
4
ページ:
536-542
発行年:
2015年12月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)