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文献
J-GLOBAL ID：201602209123896312
整理番号：16A0118518
イオンビームスパッタリング堆積による,ニッケルホイル上の大粒径単結晶六方晶系窒化ホウ素分域の合成
Synthesis of Large-Sized Single-Crystal Hexagonal Boron Nitride Domains on Nickel Foils by Ion Beam Sputtering Deposition
WANG Haolin
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
,
ZHANG Xingwang
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
,
LIU Heng
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
,
YIN Zhigang
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
,
MENG Junhua
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
,
XIA Jing
(Key Lab of Photochemical Conversion and Optoelectronic Materials, Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese ...)
,
MENG Xiang-Min
(Key Lab of Photochemical Conversion and Optoelectronic Materials, Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese ...)
,
WU Jinliang
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
,
YOU Jingbi
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 27 号： 48 ページ： 8109-8115 発行年： 2015年12月
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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