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文献
J-GLOBAL ID：201602210187362395
整理番号：16A0284114
低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価
山田高寛
(大阪大 大学院)
,
伊藤丈予
(大阪大 大学院)
,
淺原亮平
(大阪大 大学院)
,
渡邉健太
(大阪大 大学院)
,
野崎幹人
(大阪大 大学院)
,
中澤敏志
(パナソニック)
,
按田義治
(パナソニック)
,
石田昌宏
(パナソニック)
,
上田哲三
(パナソニック)
,
吉越章隆
(原子力機構)
,
細井卓治
(大阪大 大学院)
,
志村考功
(大阪大 大学院)
,
渡部平司
(大阪大 大学院)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd ページ： ROMBUNNO.22A-W541-4 発行年： 2016年03月03日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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