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文献
J-GLOBAL ID：201602211190482560
整理番号：16A0055909
シリコン上にエピタキシャル成長させたInAs/GaAs量子ドットレーザの信頼性
Reliability of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon
LIU Alan Y.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
HERRICK Robert W.
(Intel Corp., CA, USA)
,
UEDA Osamu
(Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
PETROFF Pierre M.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
GOSSARD Arthur C.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
BOWERS John E.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 21 号： 6 ページ： RONBUNNO.1900708 発行年： 2015年11月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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