文献
J-GLOBAL ID:201602211197955132
整理番号:16A0583417
28nm CMOSによる動的にバイアスされたマルチバンド2G/3G/4Gセルラ送信機【Powered by NICT】
A Dynamically Biased Multiband 2G/3G/4G Cellular Transmitter in 28 nm CMOS
著者 (9件):
Seth Siddharth
(, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA)
,
Kwon Dae Hyun
(, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea)
,
Venugopalan Sriramkumar
(, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA)
,
Son Sang Won
(, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA)
,
Zuo Yongrong
(, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA)
,
Bhagavatula Venumadhav
(, Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA)
,
Lim Jaehyun
(, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea)
,
Oh Dongjin
(, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea)
,
Cho Thomas Byunghak
(, Samsung Semiconductor, Hwaseong-Si, South Korea)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
51
号:
5
ページ:
1096-1108
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)