文献
J-GLOBAL ID:201602212107558157
整理番号:16A0027031
シリコンリッチシリコン酸化物膜のTbイオンの光ルミネセンスに及ぼす水素不動態化の効果
Effect of hydrogen passivation on the photoluminescence of Tb ions in silicon rich silicon oxide films
著者 (6件):
ZATRYB G.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
,
KLAK M. M.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
,
WOJCIK J.
(Dep. of Engineering Physics and Centre for Emerging Device Technologies, McMaster Univ., 1280 Main St. W, Hamilton ...)
,
MISIEWICZ J.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
,
MASCHER P.
(Dep. of Engineering Physics and Centre for Emerging Device Technologies, McMaster Univ., 1280 Main St. W, Hamilton ...)
,
PODHORODECKI A.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
24
ページ:
243104-243104-6
発行年:
2015年12月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)