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文献
J-GLOBAL ID：201602212107558157
整理番号：16A0027031
シリコンリッチシリコン酸化物膜のTbイオンの光ルミネセンスに及ぼす水素不動態化の効果
Effect of hydrogen passivation on the photoluminescence of Tb ions in silicon rich silicon oxide films
ZATRYB G.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
,
KLAK M. M.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
,
WOJCIK J.
(Dep. of Engineering Physics and Centre for Emerging Device Technologies, McMaster Univ., 1280 Main St. W, Hamilton ...)
,
MISIEWICZ J.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
,
MASCHER P.
(Dep. of Engineering Physics and Centre for Emerging Device Technologies, McMaster Univ., 1280 Main St. W, Hamilton ...)
,
PODHORODECKI A.
(Dep. of Experimental Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 118 号： 24 ページ： 243104-243104-6 発行年： 2015年12月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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