文献
J-GLOBAL ID:201602212130527358
整理番号:16A0380198
28nm及びそれを超える埋め込みSTT-MRAMのための1Gビット垂直磁気トンネル接合アレイの系統的な最適化
Systematic Optimization of 1Gbit Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Arrays for 28nm Embedded STT-MRAM and Beyond
著者 (15件):
PARK C.
(Qualcomm Technol., Inc., California, USA)
,
KAN J. J.
(Qualcomm Technol., Inc., California, USA)
,
CHING C.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
AHN J.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
XUE L.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
WANG R.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
KONTOS A.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
LIANG S.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
BANGAR M.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
CHEN H.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
HASSAN S.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
GOTTWALD M.
(Qualcomm Technol., Inc., California, USA)
,
ZHU X.
(Qualcomm Technol., Inc., California, USA)
,
PAKALA M.
(Applied Materials, Inc., California, USA)
,
KANG S. H.
(Qualcomm Technol., Inc., California, USA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2015
ページ:
664-667
発行年:
2015年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)