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J-GLOBAL ID：201602212660427575 整理番号：16A0183239

TVA法により得たNドープSiCナノ構造の構造特性と電気的性質

Structural and electrical properties of N doped SiC nanostructures obtained by TVA method

著者 (17件)：

CIUPINA Victor

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

CIUPINA Victor

(Acad. Romanian Scientists, Bucharest, ROM)

LUNGU Cristian P.

(National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest)

VLADOIU Rodica

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

PRODAN Gabriel C.

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

ANTOHE Stefan

(Univ. Bucharest, Bucharest-Magurele, ROM)

POROSNICU Corneliu

(National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest)

STANESCU Iuliana

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

JEPU Ionut

(National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest)

IFTIMIE Sorina

(Univ. Bucharest, Bucharest-Magurele, ROM)

BELC Marius

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

MANDES Aurelia

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

DINCA Virginia

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

VASILE Eugeniu

(Univ. Politechnica of Bucharest, Bucharest, ROM)

ZAROVSKI Valeriu

(National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest)

NICOLESCU Virginia

(CERONAV Constanta, Constanta, ROM)

CARAIANE Aureliana

(Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)

資料名：

Proceedings of SPIE (Proceedings of SPIE)

巻： 9558 ページ： 955808.1-955808.10 発行年： 2015年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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