文献
J-GLOBAL ID:201602212753241188
整理番号:16A0233447
CH4/H2/SF6を用いた誘導結合プラズマエッチング技術によって作製したGaNナノロッドのプロセス最適化
Process Optimization of GaN Nanorods Fabricated Using CH4/H2/SF6 Inductively Coupled Plasma Etch Technology
著者 (3件):
AL-SULEIMAN M.A.M.
(King Abdulaziz Univ., Jeddah, SAU)
,
AL-HADEETHI Y.
(King Abdulaziz Univ., Jeddah, SAU)
,
WAAG A.
(Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
資料名:
Science of Advanced Materials
(Science of Advanced Materials)
巻:
7
号:
12
ページ:
2523-2527
発行年:
2015年12月
JST資料番号:
W2374A
ISSN:
1947-2935
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)