文献
J-GLOBAL ID:201602213405072000
整理番号:16A0052050
Sn(acac)2及びフッ化水素による逐次自己制御熱反応を用いるAlF3の原子層エッチング
Atomic Layer Etching of AlF3 Using Sequential, Self-Limiting Thermal Reactions with Sn(acac)2 and Hydrogen Fluoride
著者 (3件):
LEE Younghee
(Univ. Colorado at Boulder, Colorado, USA)
,
DUMONT Jaime W.
(Univ. Colorado at Boulder, Colorado, USA)
,
GEORGE Steven M.
(Univ. Colorado at Boulder, Colorado, USA)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
119
号:
45
ページ:
25385-25393
発行年:
2015年11月12日
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)