文献
J-GLOBAL ID:201602214074102708
整理番号:16A0016283
広い温度範囲での操作のための異方性磁気抵抗薄膜構造に基づく磁場センサ
Magnetic-field sensors based on anisotropic magnetoresistive thin-film structures for operation in a wide temperature range
著者 (6件):
DJUZHEV N. A.
(National Res. Univ. of Electronic Technol. “MIET”, 124498, Moscow, RUS)
,
MAZURKIN N. S.
(National Res. Univ. of Electronic Technol. “MIET”, 124498, Moscow, RUS)
,
POZDNYAKOV V. S.
(JSC “Avtoelektronika”, 248017, Kaluga, RUS)
,
IUROV A. S.
(National Res. Univ. of Electronic Technol. “MIET”, 124498, Moscow, RUS)
,
CHINENKOV M. Yu.
(National Res. Univ. of Electronic Technol. “MIET”, 124498, Moscow, RUS)
,
CHINENKOV M. Yu.
(“SPINTEK” LLC, 124498, Moscow, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
49
号:
13
ページ:
1739-1742
発行年:
2015年12月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)