文献
J-GLOBAL ID:201602214320725655
整理番号:16A0027023
バンドアライメント変化におけるInGaAs/GaAsSbヘテロ接合のコンダクタンス勾配と曲率係数とデジタル及びアナログ応用へのその関係
Conductance slope and curvature coefficient of InGaAs/GaAsSb heterojunctions at varying band alignments and its implication on digital and analog applications
著者 (2件):
IUTZI Ryan M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
FITZGERALD Eugene A.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
23
ページ:
235702-235702-11
発行年:
2015年12月21日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)