文献
J-GLOBAL ID:201602214336196881
整理番号:16A0053238
弱電場下のP型Si1-xGexの転位散乱
Dislocation scatterings in p-type Si1-x Gex under weak electric field
著者 (3件):
HUR Ji-Hyun
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-Do, KOR)
,
HUR Ji-Hyun
(Korea Univ., Sejong, KOR)
,
JEON Sanghun
(Korea Univ., Sejong, KOR)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
26
号:
49
ページ:
495201,1-5
発行年:
2015年12月11日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)