文献
J-GLOBAL ID:201602215270421516
整理番号:16A0008043
エピタキシャル高kゲートスタックのためのLa2O3/Geヘテロ構造に及ぼす原子配置マッチングの効果
Effect of atomic-arrangement matching on La2O3/Ge heterostructures for epitaxial high-k-gate-stacks
著者 (6件):
KANASHIMA T.
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
,
NOHIRA H.
(Tokyo City Univ., 1-28-1 Tamazutumi, Setagaya-ku, Tokyo 158-8557, JPN)
,
ZENITAKA M.
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
,
KAJIHARA Y.
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
,
YAMADA S.
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
,
HAMAYA K.
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Machkaneyama 1-3, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
22
ページ:
225302-225302-5
発行年:
2015年12月14日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)