文献
J-GLOBAL ID:201602215324496444
整理番号:15A1312697
けい素-ゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタシリコンとディープトレンチアイソレーションの局所酸化におけるレーザ誘起シングルイベント過渡現象【Powered by NICT】
Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
著者 (5件):
Li Pei
(Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...)
,
Guo Hongxia
(Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...)
,
Guo Qi
(Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...)
,
Zhang Jinxin
(School of Nuclear Sci. and Tecnology, Xi’an Jiao Tong Univ., Xi’an)
,
Wei Ying
(Xinjiang Technical Inst. of Physics & Chemistry, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Functional Materials and ...)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
32
号:
8
ページ:
088505-1-088505-4
発行年:
2015年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)