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文献
J-GLOBAL ID：201602215390754088
整理番号：16A0654893
究極スケールCMOSノードのための金属/絶縁体/半導体接触:予測された利点と残された課題【Powered by NICT】
Metal/Insulator/Semiconductor contacts for ultimately scaled CMOS nodes: Projected benefits and remaining challenges
Borrel Julien
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Hutin Louis
(CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Grampeix Helen
(CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Nolot Emmanuel
(CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Tessaire Magali
(CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Rodriguez Guillaume
(CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Morand Yves
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Nemouchi Fabrice
(CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Gregoire Magali
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France)
,
Dubois Emmanuel
(IEMN, UMR 8520 CNRS, Avenue Poincare, BP 60069, 59652 Villeneuve D’Ascq CEDEX, France)
,
Vinet Maud
(CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IWJT ページ： 14-18 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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