文献
J-GLOBAL ID:201602215606592183
整理番号:16A1342744
高周波応用のためのAlGaAs/InGaAs pHEMTの温度依存性DCおよび小信号解析
Temperature-Dependent DC and Small-Signal Analysis of AlGaAs/InGaAs pHEMT for High-Frequency Applications
著者 (2件):
Abdul Alim Mohammad
(Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK)
,
Rezazadeh Ali A.
(Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
63
号:
3
ページ:
1005-1012
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)