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文献
J-GLOBAL ID：201602215873516295
整理番号：16A0095339
グラフェン/Ni/Au電極のAlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気的性質に与えるプラズマ処理の効果
Effects of Plasma Treatment on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Diodes with Graphene/Ni/Au Electrodes
HAN Shanghoo
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
CHO Inje
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Yoon Hyung
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
MAGESHWARI Kandhasamy
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Jinsub
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Nanoscience and Nanotechnology Letters
(Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻： 7 号： 9 ページ： 708-712 発行年： 2015年09月
JST資料番号： W2373A ISSN： 1941-4900 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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