文献
J-GLOBAL ID:201602215873516295
整理番号:16A0095339
グラフェン/Ni/Au電極のAlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気的性質に与えるプラズマ処理の効果
Effects of Plasma Treatment on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Diodes with Graphene/Ni/Au Electrodes
著者 (5件):
HAN Shanghoo
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
CHO Inje
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Yoon Hyung
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
MAGESHWARI Kandhasamy
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Jinsub
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Nanoscience and Nanotechnology Letters
(Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻:
7
号:
9
ページ:
708-712
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
W2373A
ISSN:
1941-4900
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)