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文献
J-GLOBAL ID：201602215975413890
整理番号：15A1292904
静水圧によるウルツ鉱型GaAsナノワイヤにおけるバンドギャップ工学【Powered by NICT】
Bandgap Engineering in Wurtzite GaAs Nanowires by Hydrostatic Pressure
Yang Shuang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Ding Kun
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Dou Xiuming
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Yu Ying
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Ni Haiqiao
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Niu Zhichuan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Jiang Desheng
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Sun Baoquan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 32 号： 7 ページ： 077803-1-077803-3 発行年： 2015年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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