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文献
J-GLOBAL ID:201602216252109803   整理番号:16A0096314

グラフェン-酸化物-抵抗スイッチングメモリ中の導電性ナノフィラメントの直接観察

Direct Observation of Conducting Nanofilaments in Graphene-Oxide-Resistive Switching Memory
著者 (5件):
KIM Sung Kyu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, KOR)
KIM Jong Yoon
(Graphene Res. Center and School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, KOR)
CHOI Sung-Yool
(Graphene Res. Center and School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, KOR)
LEE Jeong Yong
JEONG Hu Young
(UNIST Central Res. Facilities (UCRF) and School of Materials Sci. and Engineering, UNIST, Ulsan, 44919, KOR)

資料名:
Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)

巻: 25  号: 43  ページ: 6710-6715  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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