文献
J-GLOBAL ID:201602216551627080
整理番号:16A0169009
高k/金属ゲート構造を持つ金属-酸化物-半導体デバイスのためのフラットバンド電圧の物理的起源調査をロールオフ【Powered by NICT】
Physical origin investigation of the flatband voltage roll off for metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure
著者 (3件):
Han Kai
(Dep. of Physics and Electronic Sci., Weifang Univ., Weifang)
,
Wang Xiaolei
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices & Integrated Technol. ...)
,
Wang Wenwu
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices & Integrated Technol. ...)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
36
号:
9
ページ:
94006-1-94006-4
発行年:
2015年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)