文献
J-GLOBAL ID:201602216811010472
整理番号:16A0019272
反射率変化観測と変化率イメージングによるパワーMOSFETの動作解析
Observation of Power MOSFET under UIS avalanche breakdown condition using thermoreflectance image mapping
著者 (4件):
遠藤幸一
(東芝 セミコンダクター&ストレージ社)
,
遠藤幸一
(大阪大 大学院情報科学研究科)
,
中村共則
(浜松ホトニクス)
,
中前幸治
(大阪大 大学院情報科学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
115
号:
313(R2015 56-60)
ページ:
11-16
発行年:
2015年11月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)