文献
J-GLOBAL ID:201602216892414459
整理番号:16A0697626
併合Schottky障壁ダイオードと減少したスイッチング損失をもつ炭化けい素スプリットゲートMOSFET【Powered by NICT】
Silicon carbide split-gate MOSFET with merged Schottky barrier diode and reduced switching loss
著者 (6件):
Jiang Huaping
(Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK)
,
Wei Jin
(Dept. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Dai Xiaoping
(Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK)
,
Ke Maolong
(Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK)
,
Zheng Changwei
(Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK)
,
Deviny Ian
(Research and Development Centre, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, UK)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ISPSD
ページ:
59-62
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)