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文献
J-GLOBAL ID：201602216971346930
整理番号：16A0168777
AlGaN/AlN/GaN構造のGaN核合体過程の延長を介した成長条件最適化と移動度の増大【Powered by NICT】
Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure
He Xiaoguang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Zhao Degang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Jiang Desheng
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Zhu Jianjun
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Chen Ping
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Liu Zongshun
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Le Lingcong
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Yang Jing
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Li Xiaojing
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Beijing)
,
Zhang Shuming
(Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou)
,
Yang Hui
(Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 24 号： 9 ページ： 096802-1-096802-4 発行年： 2015年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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