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文献
J-GLOBAL ID：201602217156968619
整理番号：16A1190956
In含有量が0.53及び0.70の(100),(111)A,(111)B InGaAs表面及びAl2O3/InGaAs金属酸化物半導体(MOS)界面特性に及ぼす表面配向の影響
Impact of surface orientation on (100), (111)A, and (111)B InGaAs surfaces with In content of 0.53 and 0.70 and on their Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties
Yokoyama Masafumi
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Suzuki Rena
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Taoka Noriyuki
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Takenaka Mitsuru
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Takagi Shinichi
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 18 ページ： 182111-182111-4 発行年： 2016年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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