文献
J-GLOBAL ID:201602217286928710
整理番号:16A0380140
窒化ガリウム(GaN)に基づく高度なパワーエレクトロニクスデバイス
Advanced Power Electronic Devices Based on Gallium Nitride (GaN)
著者 (12件):
PIEDRA Daniel
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
LU Bin
(Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA)
,
SUN Min
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
ZHANG Yuhao
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
MATIOLI Elison
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
GAO Feng
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
CHUNG Jinwook
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
SAADAT Omair
(Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA)
,
XIA Ling
(Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA)
,
AZIZE Mohamed
(Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA)
,
PALACIOS Tomas
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
PALACIOS Tomas
(Cambridge Electronics, Inc. (CEI), MA, USA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2015
ページ:
430-433
発行年:
2015年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)