前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：201602217666459918 整理番号：16A0208971

高性能Ge MOSFETの界面工学とゲート誘電体工学

Interface Engineering and Gate Dielectric Engineering for High Performance Ge MOSFETs

著者 (2件)：

SUN Jiabao

(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)

LU Jiwu

(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)

資料名：

Advances in Condensed Matter Physics (Web) (Advances in Condensed Matter Physics (Web))

巻： 2015 ページ： 639218 (WEB ONLY) 発行年： 2015年
JST資料番号： U7023A ISSN： 1687-8108 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM