文献
J-GLOBAL ID:201602217666459918
整理番号:16A0208971
高性能Ge MOSFETの界面工学とゲート誘電体工学
Interface Engineering and Gate Dielectric Engineering for High Performance Ge MOSFETs
著者 (2件):
SUN Jiabao
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
LU Jiwu
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名:
Advances in Condensed Matter Physics (Web)
(Advances in Condensed Matter Physics (Web))
巻:
2015
ページ:
639218 (WEB ONLY)
発行年:
2015年
JST資料番号:
U7023A
ISSN:
1687-8108
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)