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文献
J-GLOBAL ID：201602217668906156
整理番号：16A0053264
酸素プラズマ処理を用いたCu/n型InP Schottky接合の電気的性質の変調
Modulation of electrical properties in Cu/n-type InP Schottky junctions using oxygen plasma treatment
KIM Hogyoung
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
CHO Yunae
(Ewha Womans Univ., Seoul, KOR)
,
JUNG Chan Yeong
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
KIM Se Hyun
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
KIM Dong-Wook
(Ewha Womans Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 30 号： 12 ページ： 125016,1-9 発行年： 2015年12月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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