文献
J-GLOBAL ID:201602217668906156
整理番号:16A0053264
酸素プラズマ処理を用いたCu/n型InP Schottky接合の電気的性質の変調
Modulation of electrical properties in Cu/n-type InP Schottky junctions using oxygen plasma treatment
著者 (5件):
KIM Hogyoung
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
CHO Yunae
(Ewha Womans Univ., Seoul, KOR)
,
JUNG Chan Yeong
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
KIM Se Hyun
(Seoul National Univ. Sci. and Technol. (Seoultech), Seoul, KOR)
,
KIM Dong-Wook
(Ewha Womans Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
30
号:
12
ページ:
125016,1-9
発行年:
2015年12月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)