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文献
J-GLOBAL ID：201602217812728242
整理番号：16A1059489
n型6H-SiC上に有機金属化学蒸着により成長させたSiドープAlN膜の正および小電子親和力の観測【Powered by NICT】
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC
Liang Feng
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Chen Ping
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhao Degang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Jiang Desheng
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhao Zhijuan
(Center for Physicochemical Analysis and Measurement, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Zongshun
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhu Jianjun
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Yang Jing
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Wei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
He Xiaoguang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Xiaojing
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Xiang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Shuangtao
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Yang Hui
(Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhang Liqun
(Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Jianping
(Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhang Yuantao
(College of Electronic Science and Engineering, Jilin University)
,
Du Guotong
(College of Electronic Science and Engineering, Jilin University)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 25 号： 5 ページ： 057703-1-057703-4 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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