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文献
J-GLOBAL ID：201602217872032653
整理番号：15A1302048
(NH_4)_2S不動態化したGaSb表面の化学的および電気的性質【Powered by NICT】
Chemical and electrical properties of (NH_4)_2S passivated GaSb surface
Tao Dongyan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Cheng Yu
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Liu Jingming
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Su Jie
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Liu Tong
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Yang Fengyun
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Wang Fenghua
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Cao Kewei
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Dong Zhiyuan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
,
Zhao Youwen
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 36 号： 7 ページ： 073006-01-073006-05 発行年： 2015年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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