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文献
J-GLOBAL ID：201602218049326648
整理番号：16A0031712
rサファイア基板上の非極性a面GaNにおける形態学的および微細構造進化と関連不純物の取り込み【Powered by NICT】
Morphological and Microstructural Evolution and Related Impurity Incorporation in Non-Polar a-Plane GaN Grown on r-Sapphire Substrates
Jiang Renyuan
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
,
Xu Shengrui
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
,
Zhang Jincheng
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
,
Jiang Teng
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
,
Jiang Haiqing
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
,
Wang Zhizhe
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
,
Fan Yongxiang
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian Univ. State Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Technol., Xi’an)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 32 号： 9 ページ： 098102-1-098102-4 発行年： 2015年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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