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文献
J-GLOBAL ID：201602218888519405
整理番号：16A0836143
Siウエハ上のPb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3エピタキシャル薄膜の化学溶液堆積法を用いた合成と電気的性質
Synthesis and electrical properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 epitaxial thin films on Si wafers using chemical solution deposition
Arai Takashi
(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan)
,
Ohno Tomoya
(Department of Materials Science, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-cho, Kitami 090-8507, Japan)
,
Matsuda Takeshi
(Department of Materials Science, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-cho, Kitami 090-8507, Japan)
,
Sakamoto Naonori
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan)
,
Wakiya Naoki
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan)
,
Suzuki Hisao
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 603 ページ： 97-102 発行年： 2016年03月31日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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