文献
J-GLOBAL ID:201602219599166393
整理番号:16A0027072
自然酸化膜を有するAIIIBV半導体表面の反射率異方性スペクトルにおける局所電場と固有歪の影響
Effects of local field and inherent strain in reflectance anisotropy spectra of AIIIBV semiconductors with naturally oxidized surfaces
著者 (3件):
BERKOVITS V. L.
(Ioffe Physical Technical Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint Petersburg, RUS)
,
KOSOBUKIN V. A.
(Ioffe Physical Technical Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint Petersburg, RUS)
,
GORDEEVA A. B.
(Ioffe Physical Technical Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint Petersburg, RUS)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
24
ページ:
245305-245305-12
発行年:
2015年12月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)