文献
J-GLOBAL ID:201602220186126468
整理番号:16A1098447
ナノスケールでの雑音の多いすぎ,デバイスと回路におけるランダム電信雑音(RTN)の上昇【Powered by NICT】
Too noisy at the nanoscale? - The rise of random telegraph noise (RTN) in devices and circuits
著者 (6件):
Wang Runsheng
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Guo Shaofeng
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Ren Pengpeng
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Luo Mulong
(UC San Diego)
,
Zou Jibin
(Oracle Corporation, CA, USA)
,
Huang Ru
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
INEC
ページ:
1-2
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)