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文献
J-GLOBAL ID：201602221041085847
整理番号：16A0726476
RFプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させたEuドープGaNナノカラムのEu濃度依存性【Powered by NICT】
Eu concentration dependence of Eu doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy
Imanishi Tomohiko
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan)
,
Sekiguchi Hiroto
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan)
,
Nishikawa Satoshi
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan)
,
Ozaki Kohei
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan)
,
Yamane Keisuke
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan)
,
Okada Hiroshi
(Electronics-inspired Interdisciplinary Research Institute, Toyohashi University of Techonology, Japan)
,
Kishino Katsumi
(Department of Engineering and Applied Science, Sophia University, Japan)
,
Wakahara Akihiro
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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