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文献
J-GLOBAL ID：201602221076548122
整理番号：16A0106114
二酸化炭素を用いた超臨界溶液(RESS)の急速成長によるシリコン上のアントラセン薄膜の結晶成長
Crystal Growth of Anthracene Thin Films on Silicon by Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Using Carbon Dioxide
FUJII Tatsuya
(Dep. of Chemistry and Material Engineering, Fac. of Engineering, Shinshu Univ.)
,
UCHIDA Hirohisa
(Dep. of Chemistry and Material Engineering, Fac. of Engineering, Shinshu Univ.)
資料名：
Journal of Chemical Engineering of Japan
(Journal of Chemical Engineering of Japan)
巻： 48 号： 9 ページ： 787-794 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： S0629A ISSN： 0021-9592 CODEN： JCEJAQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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