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文献
J-GLOBAL ID:201602221692171923   整理番号:16A1277491

表面活性化接合法に基づいてSiCウェハ接合

Direct bonding of SiC by modified suface activated bonding method
著者 (3件):
SUGA T.
(Univ. Tokyo)
MU F.
(Univ. Tokyo)
FUJINO M.
(Univ. Tokyo)

資料名:
マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)

巻: 24th  ページ: 175-178  発行年: 2014年09月04日 
JST資料番号: X0060A  ISSN: 2434-396X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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