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文献
J-GLOBAL ID：201602221692171923
整理番号：16A1277491
表面活性化接合法に基づいてSiCウェハ接合
Direct bonding of SiC by modified suface activated bonding method
SUGA T.
(Univ. Tokyo)
,
MU F.
(Univ. Tokyo)
,
FUJINO M.
(Univ. Tokyo)
資料名：
マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
(エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)
巻： 24th ページ： 175-178 発行年： 2014年09月04日
JST資料番号： X0060A ISSN： 2434-396X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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