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文献
J-GLOBAL ID:201602223170853002   整理番号:16A1305809

新しいRF-HySIC半導体集積回路の黎明期:Siと化合物半導体からなるハイブリッッドICのイニシアティブ

The Dawn of the New RF-HySIC Semiconductor Integrated Circuits: An Initiative for Hybrid ICs Consisting of Si and Compound Semiconductors
著者 (2件):
KAWASAKI Shigeo
(Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency)
MIYACHI Akihira
(Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency)

資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))

巻: E99.C  号: 10  ページ: 1085-1093(J-STAGE)  発行年: 2016年 
JST資料番号: U0468A  ISSN: 1745-1353  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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