文献
J-GLOBAL ID:201602223170853002
整理番号:16A1305809
新しいRF-HySIC半導体集積回路の黎明期:Siと化合物半導体からなるハイブリッッドICのイニシアティブ
The Dawn of the New RF-HySIC Semiconductor Integrated Circuits: An Initiative for Hybrid ICs Consisting of Si and Compound Semiconductors
著者 (2件):
KAWASAKI Shigeo
(Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency)
,
MIYACHI Akihira
(Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻:
E99.C
号:
10
ページ:
1085-1093(J-STAGE)
発行年:
2016年
JST資料番号:
U0468A
ISSN:
1745-1353
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)