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文献
J-GLOBAL ID：201602223853137967
整理番号：16A0726560
InON量子ドット中間層を有するInN/p GaNヘテロ接合太陽電池の変換効率の改善【Powered by NICT】
Improved conversion efficiency of InN/p-GaN heterojunction solar cells with the InON quantum dots interlayer
Liang Zhong-Yi
(Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan)
,
Yang Cheng-Yi
(Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan)
,
Chan Yu-Teng
(Department of Mechanical Engineering, Yuan Ze University, Taiwan)
,
Jiang Chi-Yung
(Department of Mechanical Engineering, Yuan Ze University, Taiwan)
,
Ke Wen-Cheng
(Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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