文献
J-GLOBAL ID:201602226082296527
整理番号:16A0410452
β-酸化ガリウムSchottkyダイオードの光伝導利得における自己捕獲正孔の役割
Role of self-trapped holes in the photoconductive gain of β-gallium oxide Schottky diodes
著者 (5件):
ARMSTRONG Andrew M.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
CRAWFORD Mary H.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA)
,
JAYAWARDENA Asanka
(Dep. of Physics, Auburn Univ., Auburn, Alabama 36849, USA)
,
AHYI Ayayi
(Dep. of Physics, Auburn Univ., Auburn, Alabama 36849, USA)
,
DHAR Sarit
(Dep. of Physics, Auburn Univ., Auburn, Alabama 36849, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
119
号:
10
ページ:
103102-103102-6
発行年:
2016年03月14日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)