文献
J-GLOBAL ID:201602226350811838
整理番号:16A0631018
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2FETの作製
Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for Low Voltage MoS2 FET
著者 (2件):
川那子高暢
(東京工大 科学技術創成研究院)
,
小田俊理
(東京工大 科学技術創成研究院)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
116
号:
118(SDM2016 32-47)
ページ:
69-74
発行年:
2016年06月22日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)